国立大学法人秋田大学
光電子デバイス向け窒化物半導体の効率的な製造法
国立大学法人秋田大学
光電子デバイス向け窒化物半導体の効率的な製造法
本特許は、基板上に窒化物半導体膜を形成する製造方法に関して述べています。窒化ガリウム系III族窒化物半導体は、高効率の光電子デバイスなどに幅広く利用されてきました。本特許の製造方法は、特に窒化インジウムを含む合金に対しても対応可能で、結晶構造の設計において広い柔軟性を提供します。また、非晶質基板上に窒化物半導体薄膜を効率的に成長させるための手法を提供します。これにより、様々な用途への可能性がさらに高まります。
つまりは、基板上に窒化物半導体膜を効率的に形成する新たな製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造光通信技術
- 高効率の光電子デバイスの製造
- 新素材の開発
- 柔軟な材料設計
本製造法を用いることで、高効率の光電子デバイスの生産が可能です。窒化ガリウム系III族窒化物半導体の製造が容易になるため、発光ダイオードやレーザーダイオードなどの製造コストを削減することが可能です。
窒化物半導体膜の形成技術を用いることで、新たな半導体素材の開発が可能となります。窒化インジウムを含む合金など、従来の製造法では困難だった素材も製造可能となり、新たな電子デバイスの開発を支えます。
本特許の製造方法は、結晶構造の設計において広い柔軟性を提供します。これにより、特定の用途に合わせたカスタマイズが可能となり、様々な用途での窒化物半導体の利用を可能にします。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-012847 |
| 発明の名称 | 窒化物半導体の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人秋田大学 |
| 公開番号 | 特開2018-121008 |
| 登録番号 | 特許第0007011278号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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