国立大学法人茨城大学
高性能なルテニウム成膜装置
国立大学法人茨城大学
高性能なルテニウム成膜装置
本特許は、ルテニウム（Ru）を基材にスパッタリング法を用いて成膜する装置に関するものです。装置は、基板とRuを主成分とするスパッタリングターゲットを保持するチャンバ、基板ホルダ、カソード電極、直流電源、プラズマ補助手段を具備します。チャンバ内では、基板の温度を400度以下で制御しながら基板を保持します。また、カソード電極を負側として、基板ホルダとカソード電極との間にDC放電によってArをプラズマ化可能な直流電力が供給されます。さらに、スパッタリングターゲットに隣接して設けられたコイルが高周波電力を供給し、直流電力が印加されない場合でも高周波電力の印加によってArをプラズマ化可能なプラズマ補助手段が効果を発揮します。これにより、直流電力の供給と高周波電力の印加が同時に行われることで、効率良くルテニウムの成膜が可能となります。
つまりは、ルテニウム（Ru）を主成分とするRu層をスパッタリング法によって基板上に成膜する装置。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造研究開発
- ルテニウム成膜装置の製造
- 高性能な半導体製造
- ルテニウム成膜技術の研究開発
本特許に基づき、ルテニウム成膜装置を製造し市場に提供することで、半導体製造などの分野に貢献できます。この装置は、高精度で効率的なルテニウム成膜を可能にするため、関連業界からの需要が見込まれます。
本特許を活用して製造された装置を用いて、高性能な半導体を製造することが可能です。特に、配線構造においては、バリアメタル層の成膜が重要であり、本装置を用いることでその効率と精度を大いに向上させることが可能です。
本特許を基に、更なる高精度・高効率なルテニウム成膜技術の研究開発を行うことができます。これにより、半導体製造技術の進歩に対する貢献や、新たな産業応用の可能性を広げることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-086074 |
| 発明の名称 | Ｒｕ成膜方法、Ｒｕ成膜装置 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 | 特開2017-193770 |
| 登録番号 | 特許第0006799843号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です