日本放送協会
高性能な不揮発性メモリの新時代
日本放送協会
高性能な不揮発性メモリの新時代
この特許は、抵抗値が電流供給により変化する不揮発性記憶素子を活用した新しいメモリセル設計を提供します。この設計は、メモリセルが不揮発性記憶素子と特定の端子間で接続されたダイオードまたは読出選択トランジスタを備え、その間の抵抗値が変化することを特徴とします。また、不揮発性記憶素子の第3の端子が、特定の端子との間に入力選択トランジスタまたは出力選択トランジスタを挟んで接続されることも特徴としています。さらに、メモリセルは列方向に配列され、行方向に隣り合う2行で回路を共有します。以上の技術により、高性能な不揮発性メモリの開発が可能となります。
つまりは、抵抗値が変化する不揮発性記憶素子を活用した新しいメモリセル設計
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工学情報技術半導体
- 高性能メモリの開発
- 高度なデータセンターの構築
- 次世代スマートデバイスの開発
この特許を活用し、抵抗値が変化する不揮発性記憶素子を用いた高性能なメモリの開発が可能です。これにより、データの読み取りや書き込み速度を向上させ、省エネルギー化を実現することができます。
この特許を用いて開発した高性能なメモリを使用し、高速かつ効率的なデータセンターの構築が可能となります。これにより、データの処理速度を向上させるとともに、エネルギー消費を抑えることができます。
不揮発性メモリの高性能化は、スマートフォンやタブレットなどの次世代スマートデバイスの性能向上に貢献します。特に、大量のデータを扱うAIやVR/ARアプリケーションなどでは、高速かつ省エネルギーなメモリが求められており、この特許はその要件を満たすことができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-099160 |
| 発明の名称 | 不揮発性メモリおよびその駆動方法、ならびに記憶装置 |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2017-208151 |
| 登録番号 | 特許第0006854091号 |
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