国立大学法人京都大学
安定した高温動作を実現するSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
国立大学法人京都大学
安定した高温動作を実現するSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
本特許は、高温で安定に動作すること、消費電力が非常に小さいこと、そして作製が容易であることを特徴とするSiC相補型接合型電界効果トランジスタの技術に関するものです。具体的には、ノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタと、その相補型の電界効果トランジスタを提供します。これらのトランジスタは、それぞれnチャネルとpチャネルで構成され、半絶縁性のSiC基板内において、互いに離間して形成されています。これにより、高温でも安定した動作が可能となり、消費電力が大幅に削減されます。さらに、製造プロセスも容易であるため、高性能な半導体デバイスの製造コストを抑えることが可能となります。
つまりは、高温で安定に動作し、消費電力が極めて小さく、作製が容易なSiC相補型接合型電界効果トランジスタの技術特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業自動車業界
- 高温環境下でのデバイスの信頼性向上
- 低消費電力デバイスの開発
- 高性能な半導体デバイスの低コスト製造
高温での安定した動作が確認されているため、自動車や航空機のエンジン制御など、高温環境下での使用が求められる様々なデバイスに対して、信頼性の向上を図ることができます。
消費電力が極めて小さいため、省エネルギーを求める各種電子機器の開発に活用することができます。これにより、バッテリー駆動時間の延長や、省エネルギーに貢献することが可能です。
本特許の技術は、製造プロセスが容易であるため、高性能な半導体デバイスの製造コストを抑えることが可能です。これにより、より高性能なデバイスを低コストで提供することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-106386 |
| 発明の名称 | ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 | 特開2017-212397 |
| 登録番号 | 特許第0006718612号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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