国立大学法人山口大学
革新的なモザイク荷電膜の製造法
国立大学法人山口大学
革新的なモザイク荷電膜の製造法
本特許は、イオンビームを用いてモザイク荷電膜を製造する新たな方法を提供します。この方法では、高分子膜にエネルギーの高いイオンビームを照射し、その後特定のモノマーをグラフト重合します。これにより、高分子膜を厚さ方向に貫通する除イオン交換領域と陽イオン交換領域を形成し、モザイク荷電層を形成します。また、高分子膜が多孔質支持層上に形成され、モザイク荷電層の膜厚が0.1-80mであることも特徴としています。このモザイク荷電膜は、対象溶液中の低分子量イオンの透過を促進し、イオン輸送を引き起こす機能を有しています。
つまりは、イオンビームを用いたモザイク荷電膜の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 水処理業界化学業界素材科学業界
- 水処理施設への応用
- 化学反応の制御における応用
- バイオテクノロジーへの応用
本製造法を用いて作られたモザイク荷電膜は、水処理施設での利用が考えられます。特に、塩分を含む水の処理に有効であり、効率的な脱塩処理を実現することが期待されます。
本製造法によるモザイク荷電膜は、特定のイオンの透過を促進するため、化学反応の制御において役立つ可能性があります。特に、反応の選択性を高めるための新たな手法として活用することができます。
本製造法は、バイオテクノロジーの分野でも応用が考えられます。特に、細胞やタンパク質などの生物学的な物質の分離・精製過程で、特定のイオンの透過を制御するために利用することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-144294 |
| 発明の名称 | モザイク荷電膜の製造方法及びモザイク荷電膜 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2018-012084 |
| 登録番号 | 特許第0006872765号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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