国立研究開発法人産業技術総合研究所
高性能・低抵抗の不純物ドープダイヤモンド
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高性能・低抵抗の不純物ドープダイヤモンド
本発明は、不純物を高濃度で含むダイヤモンドを提供します。特に、不純物濃度が5X10?Vcm以上、1X1022cm以下で、結晶格子歪みが100ppm以内であることが特徴です。その結果、高濃度の不純物を含んでいるにも拘わらず、電気抵抗値が非常に低い新世代の不純物ドープダイヤモンドを提供します。また、この不純物ドープダイヤモンドは、熱フィラメントCVD法により製造可能で、電子デバイスや基板の上に形成することが可能です。これにより、高性能で耐久性のある電子デバイスの製造が可能となります。
つまりは、高濃度の不純物を含みながらも電気抵抗値が非常に低い、新世代の不純物ドープダイヤモンド。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業パワーデバイス製造業
- 高性能電子デバイスの製造
- 高耐久性パワーデバイスの製造
- エネルギー効率の向上
本発明の不純物ドープダイヤモンドは、電子デバイスの製造に利用することができます。低抵抗であるため、高性能な電子デバイスを製造することが可能です。
ダイヤモンドの物性を活かした不純物ドープダイヤモンドは、高温・極限環境下で動作するパワーデバイスの材料として利用できます。これにより、高耐久性のパワーデバイスを製造することが可能となります。
本発明の不純物ドープダイヤモンドを活用することで、電子デバイスやパワーデバイスのエネルギー効率を向上させることができます。これにより、エネルギー消費を抑えつつ、性能を維持・向上させることが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-141305 |
| 発明の名称 | 不純物ドープダイヤモンド |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2018-012611 |
| 登録番号 | 特許第0006845497号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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