国立研究開発法人産業技術総合研究所
高性能パワーデバイスの新たな可能性、ホウ素ドープダイヤモンド
国立研究開発法人産業技術総合研究所
高性能パワーデバイスの新たな可能性、ホウ素ドープダイヤモンド
本発明は、高濃度のホウ素を含みながらも電気抵抗値が低いホウ素ドープダイヤモンドに関するものです。ダイヤモンドは優れた物性を持つため、パワーデバイス材料としての応用が期待されています。しかし、ダイヤモンドをパワーデバイス材料に応用するためには、ホウ素などの不純物を高濃度でドープし、低抵抗化する必要があります。本発明では、高濃度でホウ素をドープしながらも抵抗値が低いホウ素ドープダイヤモンドを製造する方法を提供しています。これにより、高温や極限環境下でも動作する高性能なパワーデバイスの製造が可能となります。
つまりは、高濃度ホウ素を含むが低抵抗値を持つ、ホウ素ドープダイヤモンドの製造技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業パワーデバイス製造業
- 高性能パワーデバイスの製造
- シリコン代替素材の開発
- 高熱伝導性材料としての活用
ダイヤモンドの優れた物性と低抵抗値を活かした高性能なパワーデバイスの製造が可能です。これにより、高温や極限環境下でも動作する堅牢なパワーデバイスを製造できます。
ホウ素ドープダイヤモンドは、シリコンに代わる新たな半導体素材としての可能性を秘めています。シリコンの限界を超える高速・高耐久性の電子デバイスの開発が期待できます。
ダイヤモンドは物質中最高の熱伝導率を持つため、ホウ素ドープダイヤモンドは高熱伝導性材料としての活用が可能です。例えば、冷却装置やヒートシンクなどの熱管理用途に用いることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-141306 |
| 発明の名称 | ホウ素ドープダイヤモンド |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2018-012612 |
| 登録番号 | 特許第0007023477号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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