国立大学法人福井大学
結晶成長層界面の評価を進化させる
国立大学法人福井大学
結晶成長層界面の評価を進化させる
本特許では、導電性半導体で形成された支持基板の表面に結晶成長させた半導体結晶成長層の界面を顕微光応答法によって評価するための装置が記載されています。この装置は、オーミック電極とショットキー電極を半導体結晶成長層の表面と支持基板の裏面に形成し、これらの電極を含む2つの回路を選択的に切り換える切換手段を有しています。切換手段によって選択された回路に流れる光電流値を測定することにより、界面の評価が可能になります。更に、異なる光子エネルギーのレーザー光を界面に照射し、その光電流値を測定することで、光電子収率と光子エネルギーとの関係を示すPRスペクトルを求めることができます。
つまりは、本特許は、半導体結晶成長層の界面を顕微光応答法によって評価する方法及びその装置に関するものです。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業研究開発精密機器製造業
- 半導体製造プロセスの品質管理
- 研究開発への活用
- 高精度検査装置の開発
本特許の技術を半導体製造プロセスに導入することで、製造過程での結晶成長層の状態をリアルタイムで評価することが可能になります。これにより、製造プロセスの品質管理がより精密に行えるようになり、良品率の向上に寄与します。
半導体の研究開発において、半導体結晶成長層の詳細な評価は重要です。本特許の技術を用いることで、より詳細な情報を得ることが可能となり、新たな半導体素材やデバイスの開発に役立てることができます。
本特許の技術を活用し、半導体結晶成長層の高精度な評価を可能とする検査装置の開発が考えられます。これにより、半導体製造業者や研究機関に対して、高精度な半導体評価サービスを提供する新たなビジネスチャンスが開けます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-145940 |
| 発明の名称 | 顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人福井大学 |
| 公開番号 | 特開2018-018869 |
| 登録番号 | 特許第0006744525号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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