国立大学法人山口大学
革新的な半導体基板製造技術
国立大学法人山口大学
革新的な半導体基板製造技術
本特許は、高耐圧及び大電流用途でのガリウム窒化物(GaN)系パワーデバイスの製造に必要な、低転位密度の大面積の半導体基板を製造するための下地基板の提供を目的としています。具体的には、基板本体とその上に設けられたマスクを有し、マスクの開口部から半導体が結晶成長することにより、断面形状が三角形のファセット構造を形成します。その後、該ファセット構造を埋め込むように第1厚膜成長層を形成し、その結果、転位が集中し、断面形状が三角形のファセット構造が得られます。この革新的な技術は、半導体製造業界における新たな可能性を示しています。
つまりは、低転位密度の大面積のガリウム窒化物(GaN)半導体基板を製造するための下地基板に関する特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子部品製造自動車製造
- 高性能パワーデバイスの製造
- 半導体製造プロセスの最適化
- 新たな半導体材料の開発
この技術を活用することで、高耐圧及び大電流用途のガリウム窒化物(GaN)系パワーデバイスの製造が可能となります。従来よりも低転位密度の大面積の半導体基板を製造することで、製品の信頼性と性能が向上し、より効率的なパワーデバイスを提供することが可能となります。
提案された下地基板の設計と製造方法は、半導体製造プロセスの最適化に寄与します。低転位密度の半導体基板の製造が可能となるため、製造コストを抑制しつつ、高品質な半導体製品を製造することが可能となります。
この特許は、ガリウム窒化物(GaN)以外の半導体材料にも応用可能であり、新たな半導体材料の開発に寄与します。低転位密度の大面積の半導体基板の製造技術は、新しい半導体材料の特性を最大限に引き出すための基盤となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-164800 |
| 発明の名称 | 下地基板 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2018-030763 |
| 登録番号 | 特許第0006984855号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です