国立大学法人山口大学
革新的な低転位密度半導体基板の製造法
国立大学法人山口大学
革新的な低転位密度半導体基板の製造法
この特許は、パワーデバイス用素材として好適な低転位密度の大面積の素材を製造する方法を提供します。具体的には、間隔が10μm以上100μm以下の三角形ファセット構造を持つ導体基板の製造方法を示しています。その三角ファセット構造の定められた方向に対する幅の比率は5以上50以下であり、半導体はGaNであることが特徴です。この方法は、基板本体上に設けられたマスクを有し、面内においてマスクと基板本体が交互に配設され、三角ファセット構造を形成します。これにより、低転位密度の領域を広範に作製することが可能となり、結果としてパワーデバイスの性能を向上させることが期待されます。
つまりは、高耐圧及び大電流用途でのGaN系パワーデバイスの製造に適したパワーデバイス用素材を提供する新しい製造方法。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業自動車産業
- 高性能パワーデバイスの製造
- パワーデバイス用素材の提供
- 高性能半導体の研究開発
この特許の製造方法を用いることで、低転位密度の大面積のGaN半導体基板を製造できます。これにより、高耐圧及び大電流用途のパワーデバイスを高品質に製造することが可能になります。
この特許の製造方法を用いて作成した大面積の低転位密度のGaN半導体基板は、パワーデバイス用素材として販売することも可能です。これにより、他の電子機器製造業者が高品質なパワーデバイスを製造するための素材を提供することができます。
この特許の製造方法は、低転位密度の半導体基板の製造における新たな可能性を示しています。これを用いて、さらに効率的な製造方法や新たな半導体素材の開発に挑戦することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-164805 |
| 発明の名称 | 半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | 特開2018-030764 |
| 登録番号 | 特許第0006984856号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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