国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な電荷制御で省エネルギーを実現する半導体装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な電荷制御で省エネルギーを実現する半導体装置
本発明の半導体装置は、基板、絶縁膜、p型有機半導体膜、n型有機半導体膜、第1電極、第2電極を備え、p型有機半導体膜とn型有機半導体膜の一部が重なり、平坦なへテロ界面を形成します。このへテロ界面における電荷の移動・分離・再結合の制御性が向上し、消費電力の大幅な削減が可能となります。さらに、絶縁膜とp型有機半導体膜との間、およびp型有機半導体膜とn型有機半導体膜との間に樹脂膜を備えています。これにより、装置の安定性と耐久性が向上します。また、絶縁膜の誘電率が3.9以上2.5以下であることも特徴となっており、装置の性能を一層向上させています。
つまりは、電荷の移動・分離・再結合を制御する半導体装置で、消費電力を大幅に削減します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エレクトロニクス情報技術エネルギー
- 省エネルギーな電子機器の開発
- 高性能な計算機の開発
- 省エネルギーなスマートグリッドの構築
本発明の半導体装置を採用することで、消費電力の大幅な削減が可能となります。これにより、バッテリー駆動の電子機器の稼働時間を大幅に延長することが可能となります。
本発明の半導体装置は、電荷の移動・分離・再結合の制御が可能であるため、高速で大量のデータを処理する計算機の開発に利用できます。これにより、大規模なデータセンターでも電力消費を抑えることが可能となります。
本発明の半導体装置を採用したデバイスをスマートグリッドの一部とすることで、電力消費を大幅に削減し、エネルギー効率の高いスマートグリッドを構築することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-167281 |
| 発明の名称 | 半導体装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2018-037466 |
| 登録番号 | 特許第0006786100号 |
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