国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な半導体技術を利用したダイヤモンド半導体装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な半導体技術を利用したダイヤモンド半導体装置
本特許は、ダイヤモンド半導体装置の製造方法について詳細に説明しています。この製造方法では、ダイヤモンド半導体基板上に水素終端ダイヤモンド半導体層を形成し、その上に複数のゲートパターンと絶縁膜パターンを形成します。特に、絶縁膜は原子層成長法とスパッタリング法により形成され、さらに金属からなるゲートメタルパターンと配線層を形成します。その後、熱処理を行うことで、エンハンスメントモード動作のMOSトランジスタとデプリーションモード動作のMOSトランジスタを形成します。また、本特許は、このダイヤモンド半導体装置を用いたロジック装置の製造方法についても説明しており、そのロジック装置はNORおよびNOロジック動作をすることが特徴です。
つまりは、この特許はダイヤモンド半導体装置の製造方法に関するものであり、ロジック装置における応用も記載されています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業IT業界
- 高周波・高熱限界デバイスへの応用
- ハイパフォーマンスなロジック装置の製造
- 半導体製造プロセスの改良
ダイヤモンド半導体装置は、高い熱伝導率とキャリア移動度を持つため、大きな電力、高周波、高い熱限界、及び高周波における小さな電力損失を示す電子デバイスの製造に適しています。
本特許のダイヤモンド半導体装置を用いることで、高性能なNORおよびNOロジック動作を持つロジック装置を製造することが可能です。これにより、より高速なデータ処理と効率的なエネルギー消費を実現できます。
本特許の半導体製造方法を用いることで、半導体の製造プロセスの改良と効率化が可能です。特に、原子層成長法とスパッタリング法の組み合わせによる絶縁膜の形成は、半導体装置の性能向上に寄与します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-220840 |
| 発明の名称 | ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2018-078254 |
| 登録番号 | 特許第0006783463号 |
- サブスク
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