独立行政法人国立高等専門学校機構
電気と磁気のハイブリッド記憶素子への革新的アプローチ
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電気と磁気のハイブリッド記憶素子への革新的アプローチ
本発明は、誘電体および導電性高分子化合物が組み合わされることで構成されている複合素子に関するものです。磁気エネルギーおよび電気エネルギーの変換が可能であるマルチフェロイック物質の考え方を応用し、記憶と伝搬の機能を兼ね備えた素子を提供します。これにより、情報の記憶のみならず伝搬機能も有し、かつ、記録密度を向上するための書き込みおよび読み取りの分解能の向上を図ることが可能となります。製造方法は、基板の上にイオンを吸着させ、化学的に導電性高分子化合物を析出させることにより導電性高分子化合物層を形成し、その各端面に圧電性強誘電体を接合するものです。
つまりは、導電性高分子化合物層と圧電性強誘電体の組み合わせによる、新種の複合素子の製造方法を特許化。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子工学材料科学データストレージ
- 高性能記憶素子の開発
- 電子デバイスの性能向上
- 次世代の半導体技術開発
本特許の製造方法を用いて、高記録密度かつ省電力性能を有する記憶素子を開発することができます。これにより、大容量のデータを効率的に保存し、高速アクセスが可能な新たなデータストレージデバイスの可能性が広がります。
本特許の複合素子を電子デバイスの一部として組み込むことで、デバイス全体の性能を向上させることができます。特に、高速なデータ伝搬機能により、デバイスの処理速度を向上させることが可能です。
本特許の複合素子の製造方法は、次世代の半導体技術開発に応用することができます。特に、磁気エネルギーと電気エネルギーの変換が可能なマルチフェロイック物質の性質を利用することで、新たな半導体素子の設計や製造技術を開発することが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-224849 |
| 発明の名称 | 複合素子の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 |
| 公開番号 | 特開2018-081735 |
| 登録番号 | 特許第0006757973号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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