古河機械金属株式会社
革新的なIII族窒化物半導体基板の製造方法
古河機械金属株式会社
革新的なIII族窒化物半導体基板の製造方法
本特許は、クラック発生を抑制したIII族窒化物半導体基板の製造方法に関するものです。サファイア基板の主面上にIII族窒化物半導体層を形成し、その上にさらにIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることで、品質の高い半導体基板を製造します。この製造方法は、サファイア基板と半導体層の間の角度を特定の範囲内に設定することで、基板と半導体層間の応力を緩和し、クラックの発生を防止します。また、特定の成長温度を維持することで品質の一貫性を保証します。この技術は、半導体デバイスの製造における品質改善とコスト削減に寄与します。
つまりは、クラック発生を防ぐ半導体基板の製造技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業光電子デバイス製造業
- クラックレスな半導体デバイスの製造
- クラック防止技術のライセンス提供
- カスタム半導体基板の製造
本特許の製造方法を活用することで、内部クラックが生じにくい半導体デバイスを製造することが可能になります。これにより、デバイスの信頼性と耐久性が向上し、製品の品質が一貫して保証されます。
クラック発生を防止する本特許の技術を他の半導体製造企業にライセンス提供することで、その企業の製品品質向上とコスト削減に寄与することが可能です。ライセンス料収入により、さらなる研究開発資金を確保することも可能です。
顧客の要求に応じて、サファイア基板と半導体層の角度や成長温度を調整し、特定の用途に最適化されたカスタム半導体基板を製造することが可能です。これにより、各種電子デバイスや光デバイスの性能向上に寄与することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-245357 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2018-100189 |
| 登録番号 | 特許第0006306677号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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