古河機械金属株式会社
量子効率向上の新解決、次世代のエックス線技術を搭載した半導体基板
古河機械金属株式会社
量子効率向上の新解決、次世代のエックス線技術を搭載した半導体基板
本特許は、エックス線の入射方向と主面のなす角度を走査して測定した半値幅と、裏面に対してエックス線を導入し測定した半値幅との差が100arcsec以下のIII族窒化物半導体基板の製造技術に関するものです。半導体層の膜厚は1m以上であり、熱処理工程、バッファ層形成工程、成長工程などを経て形成されます。この技術は、半導体デバイスの内部量子効率を向上させる目的で開発されました。特に、光デバイスや電子デバイスなどにおいて、基板の品質や性能を向上させることが可能です。
つまりは、エックス線で測定された半値幅の差が100arcsec以下のIII族窒化物半導体基板を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業光学機器製造業
- 半導体デバイスの性能向上
- 新たな半導体基板の開発
- 高精度な光デバイスの製造
本特許の技術を活用することで、半導体デバイスの内部量子効率を向上させることが可能です。これにより、デバイスの性能を大幅に向上させることが期待できます。
本特許の技術を基に、新たな半導体基板の開発が可能です。特に、エックス線を用いた測定技術を取り入れることで、より精度の高い基板製造が可能となります。
本特許の技術を活用すれば、光デバイスの製造における基板の品質を大幅に向上させることができます。これにより、より高精度な光デバイスの製造が可能となり、製品の競争力を高めることができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2016-246908 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2018-101694 |
| 登録番号 | 特許第0006266742号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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