古河機械金属株式会社
革新的なIII族窒化物半導体基板製造技術
古河機械金属株式会社
革新的なIII族窒化物半導体基板製造技術
本特許は、特定の角度で傾斜した面を主面として有するサファイア基板を準備し、その上に窒化処理や熱処理を行うことで半導体層を形成する技術に関するものです。特に、熱処理の温度やバッファ層形成の成長温度を特定の範囲内に制御することで、III族窒化物半導体層の品質と性能を向上させています。さらに、主面の方向や傾斜角度を調整することで、半導体層の成長方向を制御し、製品の性能を最適化します。この技術は、半導体製品の品質や性能、生産効率を大幅に向上させる可能性があります。
つまりは、サファイア基板と熱処理を用いた高品質の半導体層の生成技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業IT業界
- 高品質な半導体製品の生産
- 生産効率の向上
- 新たな半導体製品の開発
この技術を用いることで、熱処理の温度やバッファ層形成の成長温度を適切に制御し、III族窒化物半導体層の品質と性能を最適化することが可能です。これにより、高品質な半導体製品を生産し、市場での競争力を向上させることができます。
本特許の技術を活用することで、半導体の製造プロセスを効率化し、生産コストを削減することが可能です。特に、熱処理やバッファ層形成の工程を最適化することで、生産効率を大幅に向上させ、製品の生産コストを低減することができます。
本特許の技術を活用すれば、独自の熱処理やバッファ層形成の方法を活用して新たな半導体製品を開発することも可能です。これにより、新たな市場ニーズに対応する製品を開発し、新たなビジネスチャンスを創出することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-001758 |
| 発明の名称 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 古河機械金属株式会社 |
| 公開番号 | 特開2018-113297 |
| 登録番号 | 特許第0006232150号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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