日本放送協会
革新的な電子デバイスを実現する、高性能な薄膜トランジスタ
日本放送協会
革新的な電子デバイスを実現する、高性能な薄膜トランジスタ
本特許は、主成分としてZn- O- Nを含む半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を保持しつつ、電気的特性の安定性を向上させる技術を提供します。具体的には、亜鉛、酸素、窒素、及びシリコンを含む半導体層と、その半導体層の第1面に配設されるソースとドレイン、そしてゲート絶縁膜を介して半導体層に接続されるゲートを含む薄膜トランジスタを提供します。この半導体層に含まれるシリコンの割合は、0.3 atomic%以上5 atomic%以下であることが特徴です。これにより、大面積・高精細のディスプレイ等の電子デバイスにおける薄膜トランジスタの性能向上と安定性を実現します。
つまりは、本特許は、電界効果移動度が高く、電気的特性の安定性を保持した薄膜トランジスタを提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業ディスプレイ製造業半導体製造業
- 高性能ディスプレイの開発
- 高性能電子デバイスの製造
- 電子部品の高品質化
本特許の技術を活用し、高い電界効果移動度と電気的特性の安定性を持つ薄膜トランジスタを用いたディスプレイを開発することが可能です。これにより、消費者に対して高解像度な映像体験を提供できます。
本特許の薄膜トランジスタは、その高い電界効果移動度と電気的特性の安定性により、スマートフォンやパソコンなどの電子デバイスの性能向上を実現します。これにより、より高速で安定した電子デバイスの製造が可能となります。
本特許の技術を活用し、電子部品としての薄膜トランジスタの品質を向上させることが可能です。特に、電子デバイスの高性能化・高精細化が求められる現代において、高品質な電子部品の提供は大きな競争優位をもたらすことでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 | ASK 実証実験 | ASK サンプル・プロトタイプ | ASK
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-025364 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2018-133418 |
| 登録番号 | 特許第0006893091号 |
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