日本放送協会
高性能な薄膜デバイス、未来のエレクトロニクスをリード
日本放送協会
高性能な薄膜デバイス、未来のエレクトロニクスをリード
本特許では、酸化物半導体膜を使用した薄膜デバイスに関する技術が展開されています。このデバイスは、エッチストップ層という特殊な層を有し、これが特定の基準値以上のS i Nxを含む第1のエッチストップ層と、特定の基準値未満のS i Nxを含む第2のエッチストップ層から成り立っています。また、第1のエッチストップ層は水素の含有量が特定の基準値以下であることが特徴です。さらに、このデバイスは、酸化物半導体膜がソース/ドレイン電極部を構成するソース電極側とドレイン電極側の2つの領域に各々対応するように分割されています。これにより、高いキャリア移動度と大きな光学バンドギャップを持ち、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板等への適用も可能となります。
つまりは、高性能な酸化物半導体膜を用いた薄膜デバイスの特許情報
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エレクトロニクスディスプレイ製造半導体
- 次世代の大型高解像度ディスプレイの開発
- 高性能エレクトロニクスデバイスの製造
- 環境に優しい電子デバイスの開発
高いキャリア移動度と大きな光学バンドギャップを持つこの薄膜デバイスは、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイの開発に活用できます。耐熱性の低い樹脂基板等への適用も可能となり、新たなディスプレイの開発に寄与することが期待できます。
本特許の薄膜デバイスは、エレクトロニクスデバイスの性能向上に寄与します。特に、酸化物半導体膜の使用により、より高性能な半導体デバイスの開発が可能となります。そのため、高速で効率的な電子デバイスの製造に利用できます。
酸化物半導体膜は、低温での成膜が可能であるため、エネルギー消費を抑えることができます。また、耐熱性の低い樹脂基板等への適用も可能なため、従来のデバイスに比べて環境負荷を低減することが期待できます。これにより、環境に優しい電子デバイスの開発が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-230117 |
| 発明の名称 | 薄膜デバイス |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2018-137423 |
| 登録番号 | 特許第0007060366号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です