日本放送協会
高性能な薄膜デバイスの新時代
日本放送協会
高性能な薄膜デバイスの新時代
本特許は、酸化物半導体を用いた薄膜デバイスに関する革新的な技術を提供します。このデバイスは、第1と第2の酸化物半導体膜が密接配置され、コート層がSiNxを含み、酸化物半導体膜中でドナーまたはアクセプタとなり得る原子または分子が水素であることを特徴とします。また、ソース/ドレイン電極部を構成するソース電極とドレイン電極の配置、酸化物半導体膜の組成、および比率も特定の条件に基づいています。この技術は、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板等への適用が期待されています。
つまりは、高キャリア移動度を持つ酸化物半導体を活用した薄膜デバイスの開発
AIによる特許活用案
おすすめ業界 ディスプレイ製造業半導体業界高性能素材産業
- 次世代の高性能ディスプレイ開発
- 耐熱性の低い素材への適用
- エネルギー効率の向上
本技術を用いて、大型で高解像度・高速駆動が可能な次世代ディスプレイを開発することが可能です。これにより、より高品質な映像体験を提供する新製品を市場に投入することができます。
本技術は、低温で成膜できるため、耐熱性の低い樹脂基板等への適用が可能です。これにより、従来の技術では難しかった新たな製品開発が可能となります。
本技術の酸化物半導体は、高いキャリア移動度を有しており、エネルギー効率の高いデバイスを実現します。これにより、エネルギー消費を抑えつつ高性能なデバイスを提供することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-230118 |
| 発明の名称 | 薄膜デバイス |
| 出願人/権利者 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | 特開2018-137424 |
| 登録番号 | 特許第0007060367号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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