国立大学法人豊橋技術科学大学
高効率で低コストな太陽電池製造への革新的なアプローチ
国立大学法人豊橋技術科学大学
高効率で低コストな太陽電池製造への革新的なアプローチ
本特許は、半導体基板としてSi基板を用い、GaP緩衝層、A1PN犠牲層、そして混韻層からなる受光層を特徴とする薄膜太陽電池の製造方法を提案します。犠牲層のN元素の混和晶比は1-5%であることが特徴となっています。これにより、半導体基板が高価であるという太陽電池の大規模発電用途における課題を解決します。エピタキシャルリフトオフ法とは、半導体基板上に結晶成長した薄膜半導体層を半導体基板から分離する方法であり、これにより安価な太陽電池素子の製造が可能となります。
つまりは、エピタキシャルリフトオフ法を用いた薄膜太陽電池の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 太陽エネルギー半導体製造電力供給
- 大規模太陽電池ファームのコスト削減
- 家庭用太陽電池の普及加速
- エネルギー自給自足社会の実現
本特許の技術を用いることで、大規模な太陽電池ファームの設置コストを大幅に削減できます。特に土地コストが高い地域では、薄膜太陽電池の導入により大規模な太陽電池の設置が可能となります。
本特許の技術の活用により、低コストかつ高効率な太陽電池の製造が可能となります。これにより、家庭用の太陽電池の普及が加速し、一般消費者にも手軽に再生可能エネルギーを利用する機会が増えます。
本特許の技術を活用すれば、各家庭で太陽電池を設置し、必要な電力を自給自足する社会が現実的になります。これにより、エネルギー供給の安定性を高めるだけでなく、環境負荷も大幅に削減できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-033467 |
| 発明の名称 | 希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 |
| 公開番号 | 特開2018-138501 |
| 登録番号 | 特許第0006923900号 |
- サブスク
- 譲渡
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