国立大学法人九州工業大学
ダイヤモンドの新次元！半導体膜形成技術
国立大学法人九州工業大学
ダイヤモンドの新次元！半導体膜形成技術
本特許は、ダイヤモンド、窒化ガリウムまたはシリコンカーバイドの半導体膜を高精度に形成するための新たな技術を紹介します。従来の半導体膜形成プロセスでは、基材表面の損傷やパターニングの精度低下が問題となっていました。本発明では、マスキング材として熱安定性を有し基材から容易に除去可能なSiCNO膜を用い、化学蒸着によるパターニングを行うことで、これらの問題を解決します。また、適切な原子数比を選択することで、半導体膜の品質とパターニングの精度をさらに向上させることが可能です。これにより、半導体デバイスの微細化や高精度化を進めることが可能となります。
つまりは、ダイヤモンド、窒化ガリウムまたはシリコンカーバイドの半導体膜を高精度に形成する新たな方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造化学工業
- 高精度半導体製造のための新技術導入
- ダイヤモンドを用いた新素材の開発
- 半導体膜形成技術の教育・研修
本技術を半導体製造プロセスに導入することで、微細化や高精度化が求められる半導体デバイスの製造において、基材表面の損傷を防ぎながら高精度なパターニングを行うことが可能となります。
ダイヤモンドの半導体膜を形成する本技術を活用し、電気的特性や熱伝導性に優れた新素材の開発に取り組むことができます。これにより、既存の半導体素材を超える性能を発揮する新たな素材の開発が期待できます。
本特許の技術は、半導体関連の教育や研修の一環として活用することが可能です。新たな半導体膜形成技術の理解を深め、技術者のスキルアップに貢献します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-039028 |
| 発明の名称 | 半導体膜形成方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 | 特開2018-147946 |
| 登録番号 | 特許第0006767052号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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