国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代の強磁性磁気抵抗素子
国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代の強磁性磁気抵抗素子
この特許は、大口径のSi単結晶基板上に強磁性薄膜の(001)面をエピタキシャル成長させた単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイスに関するものです。強磁性薄膜は、Co基ホイスラー合金を使用し、その構成は特定の元素群から選ばれた少なくとも一種を含むものと定義されています。そして、詳細な膜厚の範囲が各層ごとに規定されています。磁気抵抗比は20%以上、抵抗変化面積積(ARA)は5mΩz㎡以上であることが特徴です。この磁気抵抗素子を使用したデバイスは、記憶素子上で使用される読み出しヘッド、磁界センサ、スピン電子回路、およびトンネル磁気抵抗(TMR)デバイスなどに応用可能です。
つまりは、強磁性薄膜を持つ磁気抵抗素子と、それを用いたデバイスに関する特許です。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エレクトロニクス半導体記憶素子製造
- 高性能な記憶素子の開発
- 信頼性の高い磁界センサの製造
- 次世代のスピン電子回路の設計
この特許の磁気抵抗素子は、その強磁性と高い磁気抵抗比により、記憶素子の性能を向上させる可能性があります。特に、読み出しヘッドや磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記録素子など、磁界を利用したデバイスにおいて有用です。
強磁性層と高い磁気抵抗比を持つこの磁気抵抗素子は、磁界センサの性能を向上させ、その信頼性を高めることが期待できます。これにより、精度と信頼性が求められる各種の産業用途に対応する磁界センサの開発が可能となります。
本特許の磁気抵抗素子は、スピン電子回路の設計にも利用可能です。強磁性と高い磁気抵抗比により、より高度なスピン制御が可能となり、その結果、次世代のスピン電子デバイスの開発に貢献できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-041147 |
| 発明の名称 | 単結晶磁気抵抗素子、及びこれを用いたデバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2018-148006 |
| 登録番号 | 特許第0006986729号 |
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