国立大学法人東京工業大学
光吸収体として優れた性能を持つ窒化銅半導体の製造法
国立大学法人東京工業大学
光吸収体として優れた性能を持つ窒化銅半導体の製造法
本特許は窒化銅半導体およびその製造方法について説明しています。太陽電池の光吸収体として有用性が注目されている窒化銅半導体は、毒性を持たず、ありふれた元素のみで構成されていることが特徴です。窒化銅半導体を用いた薄膜太陽電池は、既存の半導体材料（CdTeやCIGSなど）と比較して環境負荷が低く、高い発電効率が期待できます。特に、窒化銅半導体を用いたpn接合素子は、バンドの不連続性がないため、発電効率がさらに向上します。本特許では、高品質な窒化銅半導体の製造法について詳しく説明しています。
つまりは、低環境負荷な窒化銅半導体を用いた薄膜太陽電池の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 エネルギー電子部品・半導体環境・リサイクル
- エコフレンドリーな太陽電池の開発
- 高効率な光吸収体の製造
- 新材料の研究開発
本特許に基づき、環境負荷の低い窒化銅半導体を用いた薄膜太陽電池を開発することが可能です。これにより、エコフレンドリーな太陽電池の製造と、その市場への参入が可能となります。
窒化銅半導体は光吸収体として優れた性能を持っています。本特許は、その製造方法について詳細に説明しており、これを用いることで、高効率な光吸収体の製造が可能となります。
窒化銅半導体は、特性や製造法がまだ充分に解明されていない新材料です。本特許の知見を元に、窒化銅半導体の特性解明や新たな応用分野の開拓に取り組むことが考えられます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-041774 |
| 発明の名称 | 窒化銅半導体およびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人東京工業大学 |
| 公開番号 | 特開2018-148031 |
| 登録番号 | 特許第0006951734号 |
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