国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能で省エネなMIS型半導体装置の製造
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能で省エネなMIS型半導体装置の製造
本特許は、MIS型半導体装置およびその製造方法に関するもので、特に絶縁膜の誘電率が高く水素透過率が低いMIS型半導体装置について詳述しています。基本的な製造工程は、まず半導体基板上にCeFを含む絶縁体層を形成します。次に、この絶縁体層上に導電体層を形成します。その後、室素ガスを用いた熱処理が行われます。さらに、導電体層形成後には窒素ガスと水素ガスの混合ガスを用いた熱処理が実施されます。この製造方法により、MIS型半導体装置の高性能化と消費電力の削減が図られます。
つまりは、絶縁膜の誘電率が高く水素の透過率が低いMIS型半導体装置の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造電子機器コンピュータハードウェア
- 高性能な半導体製品の製造
- 環境に優しい製造プロセスの実現
- 新たな半導体技術の研究開発
本特許の技術を活用し、消費電力を削減しつつ高効率の半導体製品を製造することができます。特に、電子機器やコンピュータハードウェアの製造において、省エネ化と高性能化が求められる現代において大いに役立つでしょう。
本特許の半導体製造方法は、消費電力の削減という観点から見ても環境に優しいと言えます。この方法を取り入れることで、企業は環境負荷の低減を図りながら高品質な半導体製品を製造することができます。
本特許の技術は、新たな半導体技術の研究開発に対する基盤となり得ます。特に、絶縁膜の誘電率と水素透過率に関する知見は、次世代の半導体技術開発において大いに役立つでしょう。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-079420 |
| 発明の名称 | ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2018-182058 |
| 登録番号 | 特許第0006941346号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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