国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能半導体装置の製造方法：ランタンフッ化物を活用した革新的な解決策
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能半導体装置の製造方法：ランタンフッ化物を活用した革新的な解決策
本特許は、ゲート絶縁膜と半導体層の間で発生する界面酸化を抑制し、電流駆動能力を向上させるための新たなMIS型半導体装置の製造法について説明しています。特に、ゲート絶縁体層はランタンフッ化物を含み、半導体層はGaNを含むとされています。また、絶縁体層は真空蒸着法により形成され、その際の温度は200℃以上500℃以下であるとされています。これにより、高性能なパワー半導体装置の需要に対応するため、高周波・高電圧用途に適したMIS型半導体装置が製造可能となります。
つまりは、本特許は、ランタンフッ化物とGaNなどの半導体を活用した高性能MIS型半導体装置の製造方法について述べています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子機器製造業エネルギー業界
- 高性能パワー半導体装置の開発
- 高周波用途向け半導体装置の開発
- ゲート絶縁膜の品質改善
本特許の技術を用いて、高電圧用途に適した高性能パワー半導体装置を開発することが可能です。特に、電気自動車や再生可能エネルギー関連の機器など、高性能な半導体を必要とする分野での利用が期待できます。
本特許の技術は、高周波用途向けの半導体装置の開発にも用いることができます。高周波信号を扱う通信機器や電子機器などの性能向上に貢献します。
ゲート絶縁膜の物理的厚さを2 nm以下まで薄膜化した場合、トンネルリーク電流が増加してゲート電圧印加時の絶縁耐性が著しく低下します。しかし、本特許の技術を用いることで、ゲート絶縁膜の誘電率を保ちつつ、物理的な膜厚を厚くすることができ、トンネルリーク電流を抑制することが可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-093745 |
| 発明の名称 | ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2018-190876 |
| 登録番号 | 特許第0006955748号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です