国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能磁気ヘテロ接合素子 - 新世代の電子機器をリード
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能磁気ヘテロ接合素子 - 新世代の電子機器をリード
本特許は、強磁性層と非磁性層を活用する磁気ヘテロ接合素子に関するものです。この素子は、少なくとも一方の強磁性層が鉄を含有する強磁性材料で構成されています。非磁性層はZnSe、ZnS、Cu (I ni-yGa,) Sez (0≤y≤1), Ag (Ini-,Ga.) Sez: (0≤y≤1)、AgInSからなる化合物半導体から構成されています。さらに、この接合素子の特徴は、第1または第2の強磁性層と非磁性層との接合界面における界面結晶磁気異方性定数(Ks)が0.78mJ/m^2を超え、少なくとも一方が垂直磁化層であることです。これにより、高性能な磁気メモリやスピンロジック素子を実現することが可能となります。
つまりは、強磁性層と非磁性層を活用した磁気ヘテロ接合素子で、垂直磁化層と界面結晶磁気異方性定数（Ks）が0.78mJ/m^2を超える特性を有します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体製造業データストレージ業界
- 高性能磁気メモリの開発
- 高度なスピンロジック素子の開発
- 高性能磁気記憶装置の開発
本特許の磁気ヘテロ接合素子は、高い界面結晶磁気異方性定数を持つため、磁気メモリの性能を飛躍的に向上させることが可能です。これにより、高速で大容量のデータを保存・処理できる製品を開発することができます。
本特許の技術を用いれば、スピンの向きを反転可能な強磁性材料の層を利用したスピンロジック素子を開発することが可能です。これにより、より高度な論理演算を実現する電子機器の開発が可能となります。
本特許の磁気ヘテロ接合素子は、強磁性材料の層のスピンの向きを固定し、他方の強磁性材料の層のスピンの向きを反転可能とすることで、高性能な磁気記憶装置を開発することが可能です。これにより、大量のデータを高速に読み書きできる記憶装置を開発することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-075180 |
| 発明の名称 | 面直磁化強磁性半導体ヘテロ接合素子、およびこれを用いた磁気記憶装置並びにスピンロジック素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2018-190966 |
| 登録番号 | 特許第0007127770号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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