国立大学法人三重大学
高度なデータ記憶を可能にする「先進磁気記憶装置」
国立大学法人三重大学
高度なデータ記憶を可能にする「先進磁気記憶装置」
本特許は、異なる電気抵抗を利用した情報の記憶と磁化方向の制御による情報の書き込み・非書き込み制御を可能にする磁気記憶装置に関するものです。装置は、異なる領域と層を持つ磁性素子と、それに単極性の電圧を印加する制御部から成り立っています。これにより、磁性層間の電気抵抗の差を基に情報を記憶し、制御部は電圧の大きさ及び時間を制御して磁気素子への情報の書き込み・非書き込みを制御します。これらの特性により、本装置はデータ記憶の効率と精度を大幅に向上させます。
つまりは、磁化方向の制御を通じて情報の書き込み・非書き込みを制御する磁気記憶装置
AIによる特許活用案
おすすめ業界 ITデータセンター電子機器製造
- 高性能なデータセンターの構築
- 高精度なデータ記録装置の開発
- 次世代の記憶メディアの開発
本装置の高度なデータ記憶機能を活用し、大量のデータを効率的に、かつ高精度に記憶するデータセンターの構築が可能です。
本装置の磁化方向制御と電気抵抗による情報記憶の特性を利用して、高精度で効率的なデータ記録装置の開発が可能です。
高度な情報記憶と書き込み制御技術を活用して、次世代の高容量・高速の記憶メディアの開発が可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-120326 |
| 発明の名称 | 磁気記憶装置 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人三重大学 |
| 公開番号 | 特開2019-004124 |
| 登録番号 | 特許第0007055319号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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