地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
室温で操作可能な低消費電力磁気メモリ素子
地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
室温で操作可能な低消費電力磁気メモリ素子
本発明は、磁気メモリ素子の情報の書き込み及び読み取り方法に関するもので、特に、ベロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90一3.97入である化合物からなる基板と、基板上に配置された下部電極と、下部電極上に配置された特定の化合物からなる厚さが200nm一1000nmである薄膜と、薄膜上に配置された上部電極とを含む磁気メモリ素子を提供します。このメモリ素子は、磁化の反転によって情報を書き込み、磁化の反転を検出することで情報を読み取ることが可能です。特に、室温でも電場を印加することによる磁化の反転が可能であり、これにより大幅な消費電力の低下が期待できます。
つまりは、本特許は、室温で電場による情報の書き込みおよび読み取りが可能な磁気メモリ素子の提供を目指します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業データストレージ業界半導体産業
- 高効率なデータセンターの構築
- ポータブルデバイスへの応用
- IoTデバイスへの応用
この磁気メモリ素子の活用により、データセンターの消費電力を大幅に削減することが可能です。また、室温での操作が可能なため、冷却設備のコストも削減できます。
低消費電力で室温で操作可能なこの磁気メモリ素子は、スマートフォンやタブレットなどのポータブルデバイスに適用することで、バッテリー寿命を延ばすことが期待できます。
IoTデバイスはエネルギー効率が重要な要素となります。本発明の磁気メモリ素子は、その低消費電力性能により、IoTデバイスの省エネ化と持続可能な運用を実現できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-124316 |
| 発明の名称 | 磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法 |
| 出願人/権利者 | 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | 特開2019-009304 |
| 登録番号 | 特許第0006902783号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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