国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能なHEMT素子の製造方法 - 結晶高品質化と精度ドーピングの実現
国立研究開発法人科学技術振興機構
高性能なHEMT素子の製造方法 - 結晶高品質化と精度ドーピングの実現
本特許は、高品質な1 3族窒化物半導体を用いたHEMT素子の製造方法に関して詳述しています。特に、Ga N基板上に形成される縦型パワーデバイスにおいて、n型ドリフト層の炭素濃度の低減と、電子移動度の向上が必要であると指摘しています。また、本特許では、結晶のさらなる高品質化と、ドーピング技術の精度向上についても触れています。さらに、窒化物半導体と格子が整合する条件または擬似的に整合し得る条件の材料が下地として使用され、その下地の材料がG a Nであること、そして窒化物半導体は、貫通転位密度が1X10『〆/cm*一5X10リリンcmであることが記述されています。
つまりは、本特許は、1 3族窒化物半導体を用いたHEMT素子とその製造方法について記述しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業通信機器製造業
- 高性能HEMT素子の製造
- 高品質化と精度向上のための技術開発
- 高性能な電子デバイスの製造
本特許の技術を活用し、1 3族窒化物半導体を用いたHEMT素子を製造することが可能です。特に、Ga N基板上に形成される縦型パワーデバイスの製造において有効であり、n型ドリフト層の炭素濃度を低減し、電子移動度を向上させることが可能です。
本特許の技術を研究・開発に活用し、結晶の品質を向上させ、ドーピング技術の精度を上げることが可能です。これにより、より高性能なHEMT素子の製造が可能となります。
本特許の技術を活用して、高品質な窒化物半導体を用いた電子デバイスを製造することができます。これにより、高耐圧で低オン抵抗の特性を持つ電子デバイスの製造が可能となります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-196889 |
| 発明の名称 | ＨＥＭＴ |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | 特開2019-041113 |
| 登録番号 | 特許第0006952344号 |
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