【国立研究開発法人産業技術総合研究所】高度な単結晶製造技術で未来の材料開発をリードする
【国立研究開発法人産業技術総合研究所】
高度な単結晶製造技術で未来の材料開発をリードする
東京
ダイヤモンド単結晶の成長を制御する新しいエピタキシャル成長法
本発明は、ダイヤモンド単結晶のエピタキシャル成長に関する技術であり、｛100｝面を優先的に成長させることで、結晶成長を一方向に進める方法です。複数回の成長工程を通じて高品質な単結晶を製造することが可能です。
AIによる特許活用案
おすすめ単結晶 ダイヤモンド エピタキシャル成長
- 高性能電子デバイスへの応用
- 次世代半導体材料への応用
- 光学デバイスへの応用
単結晶技術を用いて、高性能かつ高耐久性の電子デバイスを製造する技術。
エピタキシャル成長法を利用し、半導体材料の製造における効率と品質を向上させる技術。
ダイヤモンド単結晶を用いた高精度な光学デバイスの製造技術。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2005-153233 |
| 出願日 | 2005/05/26 |
| 発明の名称 | 単結晶の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 住所 | 東京 |
| 公開番号 | 特開2006-327862 |
| 登録番号 | 特許第4613314号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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