株式会社ハイシック
革新的な化合物半導体ウエハの加工方法
株式会社ハイシック
革新的な化合物半導体ウエハの加工方法
本発明は化合物半導体ウエハの加工方法に関して、特にSiC（シリコンカーバイト）やGaN（ガリウムナイトライド）等の化合物半導体ウエハの加工方法について提供します。従来の加工方法ではウエハが反ってしまい均一な厚さが得られなかった問題や、加工歪みが発生してしまう問題を解決します。本発明では、第一原子と反応するエッチングガスから生成した高密度プラズマによりウェハの表面をエッチングし、その後エッチング後のウエハ表面の第二原子を含む残存粒子層を機械研磨により除去することで、化合物半導体ウエハの均一な薄板化と加工歪みの無い表面仕上げを可能にします。
つまりは、従来の加工歪みを発生させず、化合物半導体の薄板化を可能にする新たなウエハ加工方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業エレクトロニクス業界自動車業界
- 高品質な半導体デバイスの製造
- 生産コストの削減
- より薄い半導体デバイスの開発
本発明を用いることで、従来の加工歪みを発生させずに化合物半導体ウエハを薄板化することが可能となり、より高品質な半導体デバイスを製造することができます。
本発明の方法では、エッチングと機械研磨の二段階のプロセスでウエハを薄板化するため、製造工程の効率化と生産コストの削減が可能となります。
本発明の加工方法は化合物半導体ウエハの均一な薄板化を実現します。これにより、より薄い半導体デバイスの開発が可能となり、デバイスの小型化や軽量化に貢献します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-214861 |
| 発明の名称 | 化合物半導体ウエハの加工方法 |
| 出願人/権利者 | 株式会社ハイシック |
| 公開番号 | 特開2019-087642 |
| 登録番号 | 特許第0006570045号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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