国立大学法人京都大学
高性能で効率的なSiC接合型電界効果トランジスタ
国立大学法人京都大学
高性能で効率的なSiC接合型電界効果トランジスタ
本特許は、SiC基板を用いた接合型電界効果トランジスタの技術を提供します。ソース領域、埋込チャネル領域、ゲート領域などを適切に配置し、これら領域の不純物濃度や形成方向を最適化することで、高性能で効率的なトランジスタを実現します。さらに、このトランジスタは、nチャネル接合型電界効果トランジスタとpチャネル接合型電界効果トランジスタを組み合わせたSiC相補型接合型電界効果トランジスタとしても利用可能です。これにより、電子機器の性能向上と効率化を実現します。
つまりは、高度に最適化されたSiC基板を用いた接合型電界効果トランジスタ
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業半導体業界自動車業界
- 高性能電子機器の開発
- 高効率化によるエネルギーコスト削減
- 電動車両の駆動システムの改良
本特許技術を活用して、高性能かつ効率的な電子機器を開発します。SiC基板を用いた接合型電界効果トランジスタの特性を最大限に活用し、従来の電子機器よりも高速で効率的な性能を実現します。
本特許技術を活用することで、エネルギーコストを大幅に削減できます。特に、高消費電力の電子機器やシステムでは、効率化によるコスト削減効果が大きいです。これにより、運用コストの削減と環境負荷の軽減を同時に達成します。
本特許技術を電動車両の駆動システムに応用することで、駆動効率を向上させ、エネルギー消費を抑えることが可能です。また、高性能なトランジスタを利用することで、車両の性能を向上させ、快適な走行体験を提供します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-036440 |
| 発明の名称 | ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 | 特開2019-091873 |
| 登録番号 | 特許第0007074320号 |
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