国立研究開発法人科学技術振興機構
高効率メモリ制御技術を持つ電子回路
国立研究開発法人科学技術振興機構
高効率メモリ制御技術を持つ電子回路
この特許は、データを揮発的に記憶する双安定回路と、双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアする不揮発性素子を備えたメモリセルを用いた電子回路に関するものです。電子回路は、メモリセルを内包する複数のブロックと制御部から構成され、制御部はブロック内のメモリセルの揮発性に基づく動作を制御します。特に、制御部は揮発的に書き換えられていないメモリセルを含むブロックを特定し、これをシャットダウンする機能を持ちます。これにより、データの振る舞いを効率的に制御し、電力消費を抑制することが可能となります。また、複数のブロックからのデータを同時に読み取ることも特徴の一つです。
つまりは、メモリセルの揮発性の有無による動作と、それを制御する電子回路の特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業エレクトロニクスデータセンター
- 電力効率化の推進
- スマートデバイスのパフォーマンス向上
- エネルギー効率の高いストレージシステムの開発
この電子回路は、データセンターや大規模な計算装置など、大量のデータを扱うシステムにおいて、電力消費を抑制しつつ効率的なデータの読み書きを実現するための解決策として活用できます。
スマートフォンやタブレットなどのモバイルデバイスにも活用可能で、デバイスの電力消費を抑えつつ、データアクセスのスピードを維持することができます。これにより、デバイスのパフォーマンス向上とバッテリー寿命の延長を両立することが可能になります。
この技術は、エネルギー効率の高いストレージシステムの開発にも貢献できます。特に、大規模なデータセンターでは、電力消費の削減は重要な課題となっており、この技術を活用することで、大幅な省エネルギー化を実現することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2017-230447 |
| 発明の名称 | 電子回路 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | 特開2019-102111 |
| 登録番号 | 特許第0006993681号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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