国立研究開発法人物質・材料研究機構
パワーデバイスの未来、ダイヤモンド半導体を活用したMIS型半導体装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
パワーデバイスの未来、ダイヤモンド半導体を活用したMIS型半導体装置
本発明は、ダイヤモンド半導体を用いたMIS型半導体装置およびその製造方法に関するもので、高性能インバーターを構成する上でのコア素子として注目されています。ダイヤモンド半導体は、広いバンドギャップエネルギー、低い比誘電率、高い絶縁破壊電界強度、高いキャリア飽和速度、高い熱伝導率、高いキャリア移動度など、いくつかの際立った物理的特性を有しています。これらの特性により、大電力動作、高速・高周波動作、高い熱限界を示す電子デバイスを実現することが可能となります。また、本発明における製造方法では、ダイヤモンドを形成する工程、ダイヤモンド表面を終端処理する工程などが含まれており、高品質な半導体装置の製造が可能です。
つまりは、ダイヤモンド半導体を用い、高性能なMIS型半導体装置とその製造方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造業自動車産業
- 高性能パワーデバイスの開発
- 高耐熱性電子デバイスの製造
- 次世代電力制御システムの構築
本発明のMIS型半導体装置を利用することで、大電力動作や高速・高周波動作を可能とする高性能なパワーデバイスを開発することが可能です。これにより、エネルギー効率の高い電子機器の製造が期待できます。
ダイヤモンド半導体は高い熱伝導率を持つため、本発明を用いれば高耐熱性の電子デバイスを製造することができます。これにより、高温環境下でも安定した動作を維持する電子デバイスの需要に応えることが可能となります。
本発明のMIS型半導体装置は、高性能インバーターを構成するコア素子として用いることが可能です。これにより、電力供給の安定化やエネルギー効率の向上を実現する次世代の電力制御システムを構築することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-138093 |
| 発明の名称 | ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2019-125771 |
| 登録番号 | 特許第0007101980号 |
- サブスク
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