国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な窒化ホウ素製造法：温度と圧力を制御した新技術
国立研究開発法人物質・材料研究機構
革新的な窒化ホウ素製造法：温度と圧力を制御した新技術
本特許は、窒化ホウ素（hBN）の製造法に関するもので、窒化ホウ素は耐熱材や断熱材として使用され、更にはワイドギャップ半導体としての優れた特性も有しています。具体的には、原料粉末を特定の温度と圧力下で反応させることで窒化ホウ素が製造されます。また、窒化ホウ素の製造におけるホウ素同位体の割合も制御可能であり、その比率は原料である第1族元素の水素化ホウ化物のホウ素同位体比率と一致します。この方法により、製造コストを抑えつつ、高品質な窒化ホウ素を効率良く製造することが可能となります。
つまりは、高温高圧下でのホウ素の反応を制御することで、窒化ホウ素を効率化させる新しい製造法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 素材工学半導体製造工業製品開発
- 高効率窒化ホウ素製造装置の開発
- 耐熱・断熱材料の改良
- 半導体の性能向上
本特許を活用して、制御された温度と圧力下での窒化ホウ素製造を可能とする装置を開発する。これにより、一貫した品質と高い生産効率を実現し、市場への供給を拡大する。
窒化ホウ素はその耐熱性と断熱性から、多くの工業製品に使用されています。本特許を活用して、これらの特性をさらに強化した新素材を開発し、市場競争力を強化する。
窒化ホウ素はワイドギャップ半導体としての優れた特性を持っています。この新たな製造法を用いて、一貫した品質の窒化ホウ素を生産し、半導体の性能を向上させることが可能です。これにより、より高性能な電子機器の開発を支援します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-016071 |
| 発明の名称 | 立方晶系または六方晶系窒化ホウ素を製造する方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2019-131442 |
| 登録番号 | 特許第0007066169号 |
- サブスク
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