東京都公立大学法人
革新的な低コスト、高性能超電導体の開発

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革新的な低コスト、高性能超電導体の開発
本発明により、十分な超電導性を示すと共に、低コストで加工の簡便性も備えた新型の超電導体が提供されます。これは、化学式 SnxMy (式中 Mは、P, As, Sb及びBiから選択される元素を示し、x及びyは、x : yが1 : 0.5から1.5の関係にある)で表される化合物から成る超電導層を有するもので、この超電導層は、空間的に離隔させるスペーサー層と共に積層されています。スペーサー層は、Na, Li, Sr, Eu、Sn、As、P、Sb及びKからなる群から選択される1種以上を含む成分で構成されています。本発明の超電導体は、高温・強磁場下でも超電導性を発揮し、既存の超電導体と比較して優れた性能を持つとともに、製造コストと加工性に優れています。
つまりは、本特許は、SnPn (PnはP、As、Sb、Bi)層を持つ新たな超電導体を提供し、その製造方法を明示しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電力産業医療設備スペースエクスプロレーション
- 効率的なエネルギー蓄積システムの開発
- 医療機器の改良
- スペースエクスプロレーション技術の進化
本発明の超電導体は、電力ロスが極めて少ないため、エネルギー蓄積システムの開発に利用できます。これにより、より効率的で、持続可能なエネルギー蓄積システムの開発が可能となります。
MRIなどの医療機器は、超電導性が求められる場合が多いです。本発明の超電導体は、これらの機器の性能を向上させ、コストを抑えることが可能です。
超電導体の高いエネルギー効率は、宇宙探査や衛星技術において重要です。本発明の超電導体は、これらの分野での技術革新を可能にします。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2018-031880 |
発明の名称 | 超電導体 |
出願人/権利者 | 東京都公立大学法人 |
公開番号 | 特開2019-147973 |
登録番号 | 特許第0007084022号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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