国立研究開発法人産業技術総合研究所
還元処理を用いた高効率の半導体製造技術
東京
登録情報の修正申請国立研究開発法人産業技術総合研究所
還元処理を用いた高効率の半導体製造技術
東京
登録情報の修正申請本発明は、酸化膜の還元処理を行い、金属導電領域の表面を清浄化することで、半導体装置の性能を向上させる製造方法に関するものです。特に、Cu合金を使用し、酸素分圧と還元温度を調整して効率的な酸化膜の除去を実現します。
つまりは、酸化膜の還元処理を施し、金属導電領域を最適化する新技術
AIによる特許活用案
おすすめ半導体製造 還元処理 酸化膜除去
- 半導体製造プロセスへの応用
- 電子デバイス製造における高精度導電膜形成
- 省エネルギー型半導体製造装置の開発
酸化膜の還元処理を利用して、半導体製造プロセスの効率を向上させる技術。
還元処理を施すことで、電子デバイス製造において高精度な導電膜を形成する技術。
還元処理技術を活用し、従来よりも省エネルギーで効率的に半導体装置を製造する技術。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2005-026400 |
| 発明の名称 | 半導体装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 住所 | 東京 |
| 公開番号 | 特開2006-216673 |
| 登録番号 | 特許第4621888号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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