国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度半導体技術の新たな領域を切り開く
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度半導体技術の新たな領域を切り開く
本特許は、半導体装置とその製造方法について説明しています。半導体層の少なくとも一方の境界部はGaAs単結晶と同じ結晶格子を有します。界面層の少なくとも一方は一定範囲の体積密度のSiを有し、金属の拡散層の厚さは3nm以下です。さらに各界面層の厚さは一定範囲内に規定されています。また、電極は特定の金属群やそれらを含む化合物から選ばれます。製造方法は、エッチングレートの高い犠牲層形成、界面層形成、半導体層形成、電極形成、サポート基板貼り付けなどの工程を含みます。これにより、高性能で精度の高い半導体装置の製造が可能となります。
つまりは、半導体装置とその製造方法に関する特許技術
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造研究開発
- 高性能半導体の製造
- 研究開発への応用
- 高精度製造装置の開発
本特許の技術を利用することで、高品質な半導体を製造する。その結果、電子機器の性能向上や、独自性の高い製品の開発が可能となる。
素材科学や半導体技術の研究開発において、本特許の技術を応用することで、新たな半導体素材や製造プロセスの開発に繋がる可能性がある。
本特許の製造法を元に、半導体製造装置の開発を行う。これにより、より品質の高い半導体の大量生産が可能となる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-037337 |
| 発明の名称 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、赤外線光電変換素子、赤外線検出素子、および赤外線発光素子 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2019-153672 |
| 登録番号 | 特許第0007002126号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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