東京都公立大学法人
高温・強磁場下での超電導現象を実現！新型超電導体の開発
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高温・強磁場下での超電導現象を実現！新型超電導体の開発
本発明では既存の超電導体を凌駕する可能性を持つ新たな超電導体の開発が提案されています。この新型超電導体は、超電導転移温度や臨界電流密度において従来の提案を凌駕し、その特性を使途に合わせて自在に制御することが可能です。具体的には、超電導体の結晶構造において電導層とブロック層を交互に積み重ね、ブロック層に高エントロビー構造を有するものとしています。これにより、より高温・強磁場下で超電導を示すとともに、低コストでの製造が可能となります。
つまりは、高エントロピー合金を含む新しい超電導体の開発に関する特許
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電力業界電子部品製造業医療機器製造業
- 電力ケーブルの効率化
- 強磁場マグネットの開発
- 超電導体の低コスト化
本発明の超電導体を用いて電力ケーブルを製造することで、電力伝送の効率を向上させることが可能です。特に、長距離の電力伝送においては電力損失を大幅に削減することが期待できます。
本発明の超電導体は強磁場下でも超電導現象を起こすため、MRIなどの強磁場マグネットの製造に活用できます。これにより、高解像度な画像を得ることが可能となります。
本発明の超電導体は液体ヘリウムでの冷却が必要ないため、低コストでの製造が可能です。これにより、超電導体の利用範囲が広がり、様々な産業での活用が期待されます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-048908 |
| 発明の名称 | 超電導体 |
| 出願人/権利者 | 東京都公立大学法人 |
| 公開番号 | 特開2019-182739 |
| 登録番号 | 特許第0007298869号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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