国立研究開発法人科学技術振興機構
光電変換デバイスの性能を革新する特許技術
国立研究開発法人科学技術振興機構
光電変換デバイスの性能を革新する特許技術
本特許は、金属酸化物の薄膜の製造方法について述べたもので、スパッタリング法で使用するターゲットにZn、Sn、Siを含むとされています。また、薄膜の厚さは10nmから2000nmであることが特徴です。この製造方法を用いることで、有機エレクトロルミネッセンス素子や太陽電池などの光電変換デバイスの性能向上が見込めます。特に、電子輸送層の性能向上に貢献し、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率や太陽電池の変換効率を高める可能性があります。これにより、デバイスの駆動電圧を低減し、信頼性と安定性を向上させることが可能となります。
つまりは、金属酸化物の薄膜とその製造方法に関する特許で、高い電子輸送性を持つ薄膜を提供。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 ディスプレイ製造業太陽電池製造業半導体製造業
- 高性能ディスプレイの開発
- 高効率太陽電池の製造
- 光電変換デバイスの性能向上
本特許の技術を利用して、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造を行う。特許内の製造方法を活用することで、発光効率を高め、ディスプレイの鮮明さやクオリティを向上させることが可能です。
本特許の技術を用いて、高効率な太陽電池を製造する。特許内の製造方法により、太陽電池の変換効率を向上させ、より多くのエネルギーを生成することが可能です。これにより、環境に優しく、効率的なエネルギー供給が可能となります。
本特許の技術を光電変換デバイスの製造に活用する。特に、電子輸送層の性能を向上させることで、デバイスの全体的な性能を向上させることができます。これにより、光電変換デバイスの信頼性と安定性を向上させることが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-156940 |
| 発明の名称 | 金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および薄膜の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | 特開2019-201231 |
| 登録番号 | 特許第0006764200号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
準備中です