【国立研究開発法人産業技術総合研究所】低速陽電子パルスビーム装置で高精度な材料評価を実現
【国立研究開発法人産業技術総合研究所】
低速陽電子パルスビーム装置で高精度な材料評価を実現
東京
ニッケルメッシュを使用した低速陽電子パルスビーム装置の新技術
本発明は、ニッケルメッシュを減速材として使用し、材料評価の精度を向上させる低速陽電子パルスビーム装置に関するものです。低速陽電子を利用することで、材料内部の欠陥を精密に検出でき、特に半導体材料や金属の評価に応用されます。
AIによる特許活用案
おすすめ陽電子ビーム 材料評価 半導体技術
- 半導体材料の評価への応用
- 金属材料の非破壊検査への応用
- 材料開発における品質管理技術
低速陽電子パルスビームを用いて、半導体材料内部の欠陥を高精度で検出する技術。
金属材料の内部欠陥を非破壊で検出するために、低速陽電子パルスビーム技術を応用。
低速陽電子パルスビーム装置を使用して、材料開発の段階で品質を管理し、製品の信頼性を向上させる。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2004-253129 |
| 出願日 | 2004/08/31 |
| 発明の名称 | 低速陽電子パルスビーム装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 住所 | 東京 |
| 公開番号 | 特開2006-071365 |
| 登録番号 | 特許第4340773号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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