国立大学法人千葉大学
室温でも安定な薄膜形成・記憶素子技術
国立大学法人千葉大学
室温でも安定な薄膜形成・記憶素子技術
本特許は、真空蒸着法を用いて、金属基板上に有機分子の膜を形成する技術を改良したものです。これにより、室温環境でも形状が安定した単分子膜の薄膜を形成することが可能となります。また、この薄膜を活用した記憶素子も提供します。具体的には、磁性材料の表面にd電子軌道を形成し、その上に共役分子の薄膜を積層することで、スイッチング素子の役割を果たします。これにより、デバイスの性能を向上させることが期待されます。
つまりは、真空蒸着法を改良し、室温環境でも形状が安定した単分子膜の薄膜形成及び記憶素子を提供する技術。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子部品製造業ナノテクノロジー半導体製造業
- 高性能デバイスの開発
- 真空蒸着法の改良
- 薄膜技術の教育・研究
本技術を利用することで、室温でも安定した形状を保つことができる薄膜を作成し、その薄膜を用いた高性能の電子デバイスを開発することが可能となります。
真空蒸着法を用いて薄膜を作成する際の問題点を解決し、室温でも安定した形状の薄膜を作成することが可能な新たな方法を提供します。これにより、製造工程の改善や生産効率の向上が期待できます。
本技術は、薄膜技術に関する教育・研究の一環として活用することが可能です。具体的には、薄膜の形成方法や記憶素子の構造、その動作原理などを理解するための教材として利用することができます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-107375 |
| 発明の名称 | 薄膜形成方法 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人千葉大学 |
| 公開番号 | 特開2019-210511 |
| 登録番号 | 特許第0007208609号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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