国立研究開発法人物質・材料研究機構
ハイパフォーマンスな金属化合物製造装置
国立研究開発法人物質・材料研究機構
ハイパフォーマンスな金属化合物製造装置
この特許は、分子線エピタキシー装置を用いて金属化合物を製造する方法を提供します。装置は、有機金属供給部から供給された有機金属ガスを基板に供給するガスソースセルを備えています。また、基板とガスソースセルとの間の距離を変化させることが可能で、これにより金属の化合物の成膜を適切に制御します。さらに、基板加熱機構も設けられており、最適な条件下での金属化合物の成膜を実現します。その結果、高品質な金属化合物を効率良く製造することが可能となります。
つまりは、分子線エピタキシー装置を用いた金属化合物の製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業化学工業材料工学
- ハイパフォーマンスな半導体製造
- 高品質な化学材料の開発
- 高度な材料研究の推進
この特許を活用することで、半導体製造業が高品質な半導体を効率良く製造することが可能となります。特に、微細な半導体パターニングにおいて、基板上に均一な金属化合物の成膜を行うことが求められています。
金属化合物は、触媒や特殊な化学材料としても利用されています。この特許の技術を活用すれば、新たな金属化合物の開発や既存の金属化合物の品質向上が可能となります。
金属化合物の特性を調査するためには、高品質な試料が必要です。この特許を活用すれば、材料工学の分野での研究が大いに進展するでしょう。特に、材料の微細構造を制御するための新しい手法として、この技術は注目に値します。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-104963 |
| 発明の名称 | 有機金属分子線エピタキシー方法及び装置 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2019-212677 |
| 登録番号 | 特許第0007123348号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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