国立研究開発法人情報通信研究機構
革新的な半導体基板とその製造方法
国立研究開発法人情報通信研究機構
革新的な半導体基板とその製造方法
本特許は、S i を含まない材料を母材とし、S i と反応するエッチングガスに含まれるフッ素と炭素を含む除去可能なアパップ層が表面に形成された半導体基板に関するものです。また、S i を含まない第 1 の材料を母材とする下地部材と、S i を含まない第 2 の材料を母材とする、前記下地部材上のエピタキシャル膜を含む結晶積層構造体や半導体デバイスにも関連しています。これにより、従来の問題であったS i 化合物の付着や不純物ドナーとしての機能を低減し、半導体プロセスの効率を向上させることが可能になりました。また、エピタキシャル膜の形成や半導体デバイスの製造方法についても詳細に記載されています。
つまりは、除去可能なアパップ層とエピタキシャル膜を含む半導体基板とその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体製造業電子部品製造業電気・電子工学
- 高性能半導体デバイスの開発
- 新規半導体製造プロセスの開発
- 高品質な半導体基板の製造
本特許の技術は、効率的な半導体デバイスの製造に活用することができます。特に、S i の濃度を制御することで、半導体デバイスの性能を最大限に引き出すことが可能となります。
本特許の技術は、新規な半導体製造プロセスの開発にも活用することができます。従来の問題であったS i 化合物の付着や不純物ドナーとしての機能を低減し、半導体プロセスの効率を向上させることが可能です。
本特許の技術は、S i を含まない材料を母材とする高品質な半導体基板の製造に活用することができます。また、S i と反応するエッチングガスに含まれるフッ素と炭素を含む除去可能なアパップ層が表面に形成され、半導体基板の品質を一層向上させることが可能です。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-115608 |
| 発明の名称 | 半導体基板及びその製造方法、結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体デバイス |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | 特開2019-220536 |
| 登録番号 | 特許第0007325073号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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