国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度でカーボンナノチューブを成長させる新技術

国立研究開発法人物質・材料研究機構
高精度でカーボンナノチューブを成長させる新技術
本特許では、基板上にカーボンナノチューブを形成する手法が詳細に説明されています。特定のシリカ粒子とガスを使用して、基板上にカーボンナノチューブを成長させるこの方法は、高精度であり、簡便さを兼ね備えています。特に、熱処理ステップにより、精密に制御された環境下でカーボンナノチューブの成長が可能となります。また、異なる種類の基板、例えばシリコン基板、化合物半導体基板、金属基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミック基板等の上にも成長させることが可能です。これにより、電子デバイスや分子ナノセンシングなどのナノデバイスへの適用が可能となります。
つまりは、本特許は、特定のケミカルを使用して、基板上にカーボンナノチューブを形成する高精度な方法を提供します。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業ナノテクノロジー半導体製造業
- 高精度電子デバイスの開発
- ナノセンサーの製造
- 次世代の材料開発
この技術を使用して、高精度の電子デバイスを開発することが可能です。基板上に精密にカーボンナノチューブを形成することで、電子デバイスの性能向上や新たな機能の追加が期待できます。
本特許の技術を活用して、ナノサイズのセンサーを製造することが可能です。カーボンナノチューブの電気的特性を利用した高感度なセンシングが可能となります。
特殊な物性を持つカーボンナノチューブを利用して、新たな材料の開発が可能です。例えば、軽量かつ高強度な材料、熱伝導性に優れた材料など、様々な分野での応用が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
出願番号 | 特願2018-127968 |
発明の名称 | カーボンナノチューブを成長させる方法 |
出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 | 特開2020-007177 |
登録番号 | 特許第0007080477号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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