国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能半導体装置の新たな生産法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能半導体装置の新たな生産法
本特許は、ガリウム結晶基板を用いた半導体装置の製造方法に関するものです。この製造方法は、窒化ガリウム結晶基板上に酸化ガリウム半導体層を形成し、その上に絶縁体層を形成する工程を含みます。さらに、酸化ガリウムにドーパントを注入して第2の酸化ガリウム半導体層を形成し、その上に剛性を有する基体を被着形成します。また、酸化ガリウム半導体層および第1の酸化ガリウム半導体層形成工程は、硫酸、過酸化水素水、アンモニア、那酸、塩酸、硝酸、リン酸、水酸化カリウムからなる群から選択された少なくとも1つを使用して表面処理を施すステップを含みます。これにより、バンドギャップが広くキャリア移動度の高い半導体装置の製造が可能になります。
つまりは、新たな製造方法により広バンドギャップと高キャリア移動度を持つ半導体装置の生産が可能になります。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造高性能デバイス製造
- 高性能デバイスの製造
- 半導体製造工程の効率化
- 新素材の開発
この新たな製造方法を活用することで、広バンドギャップと高キャリア移動度を持つ半導体装置を製造することが可能になります。これにより、高性能のデバイスを生産することができます。
特定の化学物質を選択して使用することで、半導体の製造工程を効率化することが可能になります。これにより、生産コストの削減や生産時間の短縮が期待できます。
この製造方法を基に、新たな半導体素材の開発が可能になります。これにより、さらに高性能な半導体装置の製造が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-144690 |
| 発明の名称 | 半導体装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2020-021828 |
| 登録番号 | 特許第0007162833号 |
- サブスク
- 譲渡
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