国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能な半導体装置とその製造方法
国立研究開発法人物質・材料研究機構
高性能な半導体装置とその製造方法
本特許は、高周波のパワーデバイスが急速に必要とされている現代に対応するための新たな半導体装置とその製造方法について説明しています。具体的には、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を備えた半導体装置が提案されています。さらに、窒化ガリウム結晶基板上に酸化ガリウム半導体層を形成する工程も含まれています。これにより、半導体装置の性能を向上させることが可能です。特に、酸化ガリウム半導体層の厚さは2 nm以上30 nm以下で、その形成工程では水、アンモニア、発酸、塩酸、硝酸、リン酸の少なくとも1つを使用して表面処理するステップを含んでいます。これにより、半導体装置の性能向上だけでなく、製造プロセスの効率化も図ることができます。
つまりは、移動度が高く絶縁耐圧に優れた半導体装置およびその製造方法について記述されています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子機器製造高周波通信機器製造
- 高性能な半導体装置の製造
- 高効率な半導体装置の製造方法の開発
- 新たな半導体材料の開発
本特許に記載された方法を用いて、高周波のパワーデバイスに対応可能な高性能な半導体装置を製造することができます。これにより、より高性能な電子機器の製造が可能となります。
本特許に基づく半導体装置の製造方法は、半導体装置の性能向上だけでなく、製造プロセスの効率化も可能です。これにより、生産コストの削減や大量生産への対応が可能となります。
本特許では、窒化ガリウム結晶基板上に酸化ガリウム半導体層を形成する工程が含まれています。これにより、新たな半導体材料の開発につながり、半導体産業の進化に貢献する可能性があります。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-144691 |
| 発明の名称 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2020-021829 |
| 登録番号 | 特許第0007160318号 |
- サブスク
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