学校法人早稲田大学
革新的なダイヤモンド電界効果トランジスタ
東京都新宿区戸塚町一丁目104番地
登録情報の修正申請学校法人早稲田大学
革新的なダイヤモンド電界効果トランジスタ
東京都新宿区戸塚町一丁目104番地
登録情報の修正申請本発明は、ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法に関して詳述します。特許内容によれば、このトランジスタは、ダイヤモンド基板の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層の上に配置されたゲート電極を持つ。この構成により、高電圧、大電流に耐えうる特性を有します。また、特許には製造方法も詳述されており、ダイヤモンド電界効果トランジスタの製造過程において水素終端して水素化層を形成し、その上に重畳層を形成する工程が含まれています。これにより、高耐圧・高電流対応のダイヤモンド電界効果トランジスタが効率良く製造できることが特徴です。
つまりは、高耐圧・高電流対応のダイヤモンド電界効果トランジスタとその製造方法
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体業界電子機器製造業自動車業界
- 高性能電子機器の製造
- 冗長性の向上
- 産業機器の性能向上
高耐圧・高電流対応のダイヤモンド電界効果トランジスタを活用し、高性能な電子機器の製造が可能になります。特に、大電力を必要とする機器において、その性能を大幅に向上させることができます。
本発明のダイヤモンド電界効果トランジスタは、高耐圧・高電流に対応しているため、冗長性を持ったシステムの設計に役立ちます。これにより、より信頼性の高い電子機器の開発が可能になります。
本発明を活用すれば、工業用途で使われる大電力を必要とする機器の性能を向上させることができます。これにより、生産効率の向上やエネルギー消費の低減など、各種の産業機器の性能向上が期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 | ASK 実証実験 | ASK サンプル・プロトタイプ | ASK
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-161761 |
| 発明の名称 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| 出願人/権利者 | 学校法人早稲田大学 |
| 住所 | 東京都新宿区戸塚町一丁目104番地 |
| 公開番号 | 特開2020-035917 |
| 登録番号 | 特許第0007084030号 |
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