国立大学法人 筑波大学
高性能半導体装置の製造法を革新する
国立大学法人 筑波大学
高性能半導体装置の製造法を革新する
本特許は、非品質の基材と、基材の一面に形成されたGeを主成分とする第一結晶粒子を複数含む下地層、そして機能層を有する半導体装置の製造法について述べています。特に、第二結晶粒子の平均粒径が1nm以上であることが特徴的です。また、第二結晶粒子は、In、A1、Pのうち少なくとも一つを主成分として含んでいます。この製造法は、基材の大きさに関わらず、低コストで形成することが可能であり、そして光電変換装置に適した品質を有する半導体装置を提供することが可能です。
つまりは、本特許は、金属酸化物層とGe層を有し、非品質の材料からなる基材を使用した新たな半導体装置の製造方法について記述しています。
AIによる特許活用案
おすすめ業界 半導体産業電子部品製造太陽電池製造
- 高性能な半導体装置の製造
- 太陽電池の効率向上
- 電子部品製造の効率化
本特許の製造方法を用いれば、高性能な半導体装置を低コストで製造することが可能です。これにより、より競争力のある製品を市場に提供することができます。
本特許の製造方法を太陽電池の製造に応用することで、光電変換効率の高い太陽電池を作ることができます。これにより、太陽電池の性能向上とコスト削減が期待できます。
本特許の製造方法は、電子部品の製造プロセスを効率化し、生産コストを削減することが可能です。これにより、製品の品質向上と同時に、生産効率も向上することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2018-164916 |
| 発明の名称 | 半導体装置とその製造方法および光電変換装置 |
| 出願人/権利者 | 国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 | 特開2020-038890 |
| 登録番号 | 特許第0007232499号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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