国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代の高性能磁気抵抗素子
国立研究開発法人物質・材料研究機構
次世代の高性能磁気抵抗素子
本発明は、強磁性薄膜を有し、低抵抗・高磁気抵抵抗比を特徴とする面直電流巨大磁気抵抗素子に関するもので、次世代HDD用リードヘッド等に適用できる。特に、Co基ホイスラー合金を利用し、膜厚が特定の範囲にある強磁性層と非磁性層を有している。また、磁気抵抗(MR)比が20%以上、抵抗変化面積積(ARA)が10mΩｚｍ*以上であることが特徴。その他の応用として、記憶素子上での使用や磁界センサ、スピン電子回路としての利用が可能である。
つまりは、低抵抗・高磁気抵抗比を有する面直電流巨大磁気抵抗素子
AIによる特許活用案
おすすめ業界 電子機器製造業コンピュータ製造業データストレージ業界
- 次世代HDDのリードヘッドとしての利用
- 高性能磁界センサとしての利用
- スピン電子回路での活用
抵抗の低さと高い磁気抵抗率を活かして、次世代のハードディスクドライブ(HDD)のリードヘッドとして使用することができます。これにより、データの読み取り精度と速度を向上させることが可能です。
本発明の面直電流巨大磁気抵抗素子は、磁界を電気的に検出することができるため、高性能な磁界センサとして利用可能です。これにより、各種機器の磁場検出精度を大幅に向上させることができます。
本発明の面直電流巨大磁気抵抗素子は、スピン電子回路にも適用可能です。これにより、電子デバイスの小型化や高速化を担保しつつ、省エネルギー化にも寄与することが期待できます。
活用条件
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
商品化・サービス化 実証実験 サンプル・プロトタイプ
特許評価書
- 権利概要
| 出願番号 | 特願2019-223062 |
| 発明の名称 | 磁気抵抗素子及びその使用方法 |
| 出願人/権利者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | 特開2020-057446 |
| 登録番号 | 特許第0006821216号 |
- サブスク
- 譲渡
- ライセンス
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